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TK9A90E,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TK9A90E,S4X

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-220SIS

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS

Menge:

Auf Lager : 11 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.0235

$2.0235
10

$1.68055

$16.8055
100

$1.33779

$133.779
500

$1.13196

$565.98
1000

$0.96046

$960.46
2000

$0.91243

$1824.86
5000

$0.87813

$4390.65
10000

$0.84906

$8490.6

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	π-MOSVIII
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 900µA
Base Product Number	TK9A90
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.3Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	50W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2000 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Ta)

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