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TK7J90E,S1E

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TK7J90E,S1E

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-3P(N)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 900V 7A TO3P

Menge:

Auf Lager : 14 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.47

$2.47
10

$2.21445

$22.1445
100

$1.78011

$178.011
500

$1.46252

$731.26
1000

$1.2118

$1211.8
2000

$1.12823

$2256.46
5000

$1.08643

$5432.15

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	π-MOSVIII
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-3P-3, SC-65-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 700µA
Base Product Number	TK7J90
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	200W (Tc)
Supplier Device Package	TO-3P(N)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1350 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7A (Ta)

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