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TK7A90E,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TK7A90E,S4X

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-220SIS

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 900V 7A TO220SIS

Menge:

Auf Lager : 98 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.5485

$1.5485
10

$1.28345

$12.8345
100

$1.02153

$102.153
500

$0.8644

$432.2
1000

$0.73343

$733.43
2000

$0.69676

$1393.52
5000

$0.67057

$3352.85
10000

$0.64837

$6483.7

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	π-MOSVIII
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 700µA
Base Product Number	TK7A90
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	45W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1350 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7A (Ta)

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