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TK6A65D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TK6A65D(STA4,Q,M)

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-220SIS

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS

Menge:

Auf Lager : 47 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.7765

$1.7765
10

$1.5941

$15.941
100

$1.28145

$128.145
500

$1.0528

$526.4
1000

$0.87232

$872.32
2000

$0.81217

$1624.34
5000

$0.78208

$3910.4
10000

$0.75201

$7520.1

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	π-MOSVII
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Base Product Number	TK6A65
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.11Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max)	45W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1050 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Ta)

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