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TK56E12N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TK56E12N1,S1X

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-220

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N CH 120V 56A TO-220

Menge:

Auf Lager : 50 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.539

$1.539
10

$1.38035

$13.8035
100

$1.10979

$110.979
500

$0.91177

$455.885
1000

$0.75545

$755.45
2000

$0.70336

$1406.72
5000

$0.67731

$3386.55
10000

$0.65126

$6512.6

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	U-MOSVIII-H
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Base Product Number	TK56E12
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max)	168W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4200 pF @ 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	56A (Ta)

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