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TK4A80E,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TK4A80E,S4X

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-220SIS

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

PB-FPOWERMOSFETTRANSISTORTO-220S

Menge:

Auf Lager : 50 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.121

$1.121
10

$0.9196

$9.196
100

$0.71535

$71.535
500

$0.6063

$303.15
1000

$0.4939

$493.9
2000

$0.46494

$929.88
5000

$0.44281

$2214.05
10000

$0.42237

$4223.7

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 400µA
Operating Temperature	150°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max)	35W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	650 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Ta)

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