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TK40E10N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TK40E10N1,S1X

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-220

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N CH 100V 90A TO220

Menge:

Auf Lager : 40 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.824

$1.824
10

$1.6378

$16.378
100

$1.31613

$131.613
500

$1.08136

$540.68
1000

$0.89598

$895.98
2000

$0.83419

$1668.38
5000

$0.80329

$4016.45
10000

$0.77239

$7723.9

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	U-MOSVIII-H
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 500µA
Base Product Number	TK40E10
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	126W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3000 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	90A (Tc)

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