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TK3R3A06PL,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TK3R3A06PL,S4X

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-220SIS

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Menge:

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Land

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 700µA
Base Product Number	TK3R3A06
Operating Temperature	175°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max)	42W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5000 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	80A (Tc)

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