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TK3A65D(STA4,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TK3A65D(STA4,Q,M)

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-220SIS

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS

Menge:

Auf Lager : 48 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.4725

$1.4725
10

$1.31575

$13.1575
100

$1.02619

$102.619
500

$0.84772

$423.86
1000

$0.66925

$669.25
2000

$0.62463

$1249.26
5000

$0.59339

$2966.95
10000

$0.57109

$5710.9

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	π-MOSVII
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4.4V @ 1mA
Base Product Number	TK3A65
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.25Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	35W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	540 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Ta)

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