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TK35N65W5,S1F

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TK35N65W5,S1F

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-247

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 35A TO247

Menge:

Auf Lager : 30 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$8.303

$8.303
10

$7.5012

$75.012
100

$6.20996

$620.996
500

$5.40755

$2703.775
1000

$4.7098

$4709.8
2000

$4.53536

$9070.72

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	DTMOSIV
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-247-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 2.1mA
Base Product Number	TK35N65
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	95mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	270W (Tc)
Supplier Device Package	TO-247
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	115 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4100 pF @ 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	35A (Ta)

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