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TK32E12N1,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TK32E12N1,S1X

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-220

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N CH 120V 60A TO-220

Menge:

Auf Lager : 155 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.406

$1.406
10

$1.254

$12.54
100

$0.97764

$97.764
500

$0.80761

$403.805
1000

$0.63758

$637.58
2000

$0.59508

$1190.16
5000

$0.56532

$2826.6
10000

$0.54407

$5440.7

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	U-MOSVIII-H
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 500µA
Base Product Number	TK32E12
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.8mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max)	98W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	120 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2000 pF @ 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)

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