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TK2R9E10PL,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TK2R9E10PL,S1X

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-220

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-

Menge:

Auf Lager : 19 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.6505

$2.6505
10

$2.1983

$21.983
100

$1.74942

$174.942
500

$1.48027

$740.135
1000

$1.25598

$1255.98
2000

$1.19319

$2386.38
5000

$1.14833

$5741.65

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	U-MOSIX-H
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Operating Temperature	175°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max)	306W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	161 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	9500 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100A (Ta)

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