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TK17V65W,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TK17V65W,LQ

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

4-DFN-EP (8x8)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Menge:

Auf Lager : 15 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$3.135

$3.135
10

$2.63055

$26.3055
100

$2.12781

$212.781
500

$1.89137

$945.685
1000

$1.61948

$1619.48

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	4-VSFN Exposed Pad
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 900µA
Base Product Number	TK17V65
Operating Temperature	150°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs	210mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max)	156W (Tc)
Supplier Device Package	4-DFN-EP (8x8)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1800 pF @ 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	17.3A (Ta)

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