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TK16E60W,S1VX

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TK16E60W,S1VX

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-220

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220

Menge:

Auf Lager : 46 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.6125

$2.6125
10

$2.3465

$23.465
100

$1.88632

$188.632
500

$1.54983

$774.915
1000

$1.28414

$1284.14
2000

$1.19558

$2391.16
5000

$1.1513

$5756.5

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	DTMOSIV
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.7V @ 790µA
Base Product Number	TK16E60
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max)	130W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1350 pF @ 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	15.8A (Ta)

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