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TK155E65Z,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TK155E65Z,S1X

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-220

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

650V DTMOS VI TO-220 155MOHM

Menge:

Auf Lager : 164 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.9735

$2.9735
10

$2.49755

$24.9755
100

$2.02074

$202.074
500

$1.79618

$898.09
1000

$1.53798

$1537.98
2000

$1.44818

$2896.36
5000

$1.38937

$6946.85

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 730µA
Operating Temperature	150°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs	155mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max)	150W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1635 pF @ 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Ta)

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