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TK14E65W,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TK14E65W,S1X

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-220

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 13.7A TO220

Menge:

Auf Lager : 50 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.7645

$2.7645
10

$2.48235

$24.8235
100

$2.03376

$203.376
500

$1.73133

$865.665
1000

$1.46016

$1460.16
2000

$1.38716

$2774.32
5000

$1.335

$6675

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	DTMOSIV
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 690µA
Base Product Number	TK14E65
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250mOhm @ 6.9A, 10V
Power Dissipation (Max)	130W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300 pF @ 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13.7A (Ta)

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