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TK12V60W,LVQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TK12V60W,LVQ

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

4-DFN-EP (8x8)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 11.5A 4DFN

Menge:

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	DTMOSIV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	4-VSFN Exposed Pad
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.7V @ 600µA
Base Product Number	TK12V60
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max)	104W (Tc)
Supplier Device Package	4-DFN-EP (8x8)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	890 pF @ 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11.5A (Ta)

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