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TK11A65W,S5X

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TK11A65W,S5X

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-220SIS

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 11.1A TO220SIS

Menge:

Auf Lager : 93 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.3965

$1.3965
10

$1.25115

$12.5115
100

$0.97546

$97.546
500

$0.80579

$402.895
1000

$0.63614

$636.14
2000

$0.59374

$1187.48
5000

$0.56405

$2820.25
10000

$0.54284

$5428.4

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	DTMOSIV
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 450µA
Base Product Number	TK11A65
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	390mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	35W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	890 pF @ 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11.1A (Ta)

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