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TK10A80W,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TK10A80W,S4X

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-220SIS

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS

Menge:

Auf Lager : 50 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.5935

$2.5935
10

$2.1774

$21.774
100

$1.76168

$176.168
500

$1.5659

$782.95
1000

$1.3408

$1340.8
2000

$1.26251

$2525.02
5000

$1.21125

$6056.25

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	DTMOSIV
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 450µA
Base Product Number	TK10A80
Operating Temperature	150°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs	550mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max)	40W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1150 pF @ 300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9.5A (Ta)

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