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TK10A80E,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TK10A80E,S4X

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-220SIS

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 10A TO220SIS

Menge:

Auf Lager : 107 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.204

$2.204
10

$1.9836

$19.836
100

$1.5941

$159.41
500

$1.3097

$654.85
1000

$1.08519

$1085.19
2000

$1.01035

$2020.7
5000

$0.97293

$4864.65
10000

$0.93551

$9355.1

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	π-MOSVIII
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Base Product Number	TK10A80
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max)	50W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220SIS
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	46 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2000 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta)

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