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TJ200F04M3L,LXHQ

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

TJ200F04M3L,LXHQ

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

TO-220SM(W)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 40V 200A TO220SM

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Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	U-MOSVI
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	+10V, -20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA
Base Product Number	TJ200F04
Operating Temperature	175°C
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max)	375W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220SM(W)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	460 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1280 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	200A (Ta)

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