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SUM90100E-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SUM90100E-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

TO-263 (D²Pak)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET D2P

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Bulk
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.4mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max)	375W (Tc)
Supplier Device Package	TO-263 (D²Pak)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3930 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	150A (Tc)

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