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STW65N65DM2AG

STMicroelectronics

Hersteller Teil #:

STW65N65DM2AG

Hersteller:

STMicroelectronics

Paket:

TO-247-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 650V 60A TO247

Menge:

Auf Lager : 481 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$10.678

$10.678
10

$9.64345

$96.4345
100

$7.9838

$798.38
500

$6.95217

$3476.085
1000

$6.05512

$6055.12

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Datencode

Mfr	STMicroelectronics
Series	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±25V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-247-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Base Product Number	STW65
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max)	446W (Tc)
Supplier Device Package	TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5500 pF @ 100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)

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