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SSM6N7002BFU(T5L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

SSM6N7002BFU(T5L,F

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

US6

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6

Menge:

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Land

Menge

Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	-
Package	Cut Tape (CT)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	Logic Level Gate
Power - Max	300mW
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	3.1V @ 250µA
Base Product Number	SSM6N7002
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	US6
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	17pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	200mA

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