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SSM6N61NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller Teil #:

SSM6N61NU,LF

Hersteller:

Toshiba Semiconductor and Storage

Paket:

6-UDFNB (2x2)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 20V 4A UDFN

Menge:

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Land

Menge

Datencode

Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	Logic Level Gate, 1.5V Drive
Power - Max	2W
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	6-WDFN Exposed Pad
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Base Product Number	SSM6N61
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package	6-UDFNB (2x2)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.6nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	410pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A

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