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SQV120N10-3M8_GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SQV120N10-3M8_GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

28-SOIC

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 120A TO262-3

Menge:

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Firmenname

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Base Product Number	SQV120
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	250W (Tc)
Supplier Device Package	28-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7230 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)

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