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SIZF906DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIZF906DT-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

8-PowerPair® (6x5)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2 N-CH 30V 60A POWERPAIR

Menge:

Auf Lager : 16141 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.5295

$1.5295
10

$1.2483

$12.483
100

$0.97118

$97.118
500

$0.82321

$411.605
1000

$0.67059

$670.59

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Power - Max	38W (Tc), 83W (Tc)
Configuration	2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerWDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Base Product Number	SIZF906
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TA)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	8-PowerPair® (6x5)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)

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