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SIZF906BDT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIZF906BDT-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

8-PowerPair® (6x5)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET

Menge:

Auf Lager : 29477 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.843

$1.843
10

$1.53425

$15.3425
100

$1.22084

$122.084
500

$1.03303

$516.515
1000

$0.8765

$876.5

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Power - Max	4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)
Configuration	2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerWDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Base Product Number	SIZF906
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.1mOhm @ 15A, 10V, 680µOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	8-PowerPair® (6x5)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49nC @ 10V, 165nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1630pF @ 15V, 5550pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	36A (Ta), 105A (Tc), 63A (Ta), 257A (Tc)

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