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SIZF360DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIZF360DT-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

6-PowerPair™

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC

Menge:

Auf Lager : 6 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.4725

$1.4725
10

$1.20175

$12.0175
100

$0.93489

$93.489
500

$0.79247

$396.235
1000

$0.64555

$645.55

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Power - Max	3.8W (Ta), 52W (Tc), 4.3W (Ta), 78W (Tc)
Configuration	2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	6-PowerPair™
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Base Product Number	SIZF360
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 10A, 10V, 1.9mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	6-PowerPair™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V, 62nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc)

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