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SIZ900DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIZ900DT-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

6-PowerPair™

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	Logic Level Gate
Power - Max	48W, 100W
Configuration	2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	6-PowerPair™
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Base Product Number	SIZ900
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.2mOhm @ 19.4A, 10V
Supplier Device Package	6-PowerPair™
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1830pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	24A, 28A

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