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SIZ256DT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SIZ256DT-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

8-PowerPair® (3.3x3.3)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DUAL N-CHANNEL 70 V (D-S) MOSFET

Menge:

Auf Lager : 6000 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.197

$1.197
10

$0.9766

$9.766
100

$0.75962

$75.962
500

$0.64389

$321.945
1000

$0.52451

$524.51

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Power - Max	4.3W (Ta), 33W (Tc)
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerWDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Base Product Number	SIZ256
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.6mOhm @ 7A, 4.5V
Supplier Device Package	8-PowerPair® (3.3x3.3)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	70V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1060pF @ 35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11.5A (Ta), 31.8A (Tc)

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