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SISS70DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SISS70DN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8S

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 1212-8S
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Base Product Number	SISS70
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29.8mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8S
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	125 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	535 pF @ 62.5 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.5A (Ta), 31A (Tc)

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