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SISS67DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SISS67DN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8S

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 30V 60A PPAK1212-8S

Menge:

Auf Lager : 486 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.007

$1.007
10

$0.82175

$8.2175
100

$0.63935

$63.935
500

$0.54191

$270.955
1000

$0.44145

$441.45

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen III
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±25V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 1212-8S
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Base Product Number	SISS67
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max)	65.8W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8S
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	111 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4380 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)

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