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SISS42LDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SISS42LDN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8S

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 11.3A/39A PPAK

Menge:

Auf Lager : 13698 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.1875

$1.1875
10

$0.97185

$9.7185
100

$0.75563

$75.563
500

$0.64047

$320.235
1000

$0.52173

$521.73

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 1212-8S
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Base Product Number	SISS42
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max)	4.8W (Ta), 57W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8S
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2058 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11.3A (Ta), 39A (Tc)

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