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SISS23DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SISS23DN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8S

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S

Menge:

Auf Lager : 6254 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.7885

$0.7885
10

$0.69255

$6.9255
100

$0.53086

$53.086
500

$0.41969

$209.845
1000

$0.33574

$335.74

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±8V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 1212-8S
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Base Product Number	SISS23
Operating Temperature	-50°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max)	4.8W (Ta), 57W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8S
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	300 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8840 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	50A (Tc)

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