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SISS22LDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SISS22LDN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8S

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 25.5A/92.5A PPAK

Menge:

Auf Lager : 14000 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.102

$1.102
10

$0.90155

$9.0155
100

$0.70119

$70.119
500

$0.59435

$297.175
1000

$0.48416

$484.16

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 1212-8S
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Base Product Number	SISS22
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max)	5W (Ta), 65.7W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8S
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2540 pF @ 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25.5A (Ta), 92.5A (Tc)

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