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SISHA18ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SISHA18ADN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8SH

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

Menge:

Auf Lager : 12040 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.741

$0.741
10

$0.6422

$6.422
100

$0.4445

$44.45
500

$0.37141

$185.705
1000

$0.31609

$316.09

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	+20V, -16V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 1212-8SH
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max)	3.5W (Ta), 26.5W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8SH
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1650 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	22A (Ta), 60A (Tc)

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