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SISHA12ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SISHA12ADN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8SH

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 22A/25A PPAK

Menge:

Auf Lager : 6000 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.779

$0.779
10

$0.6783

$6.783
100

$0.46958

$46.958
500

$0.39233

$196.165
1000

$0.3339

$333.9

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	+20V, -16V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 1212-8SH
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Base Product Number	SISHA12
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max)	3.5W (Ta), 28W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8SH
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2070 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	22A (Ta), 25A (Tc)

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