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SISHA10DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SISHA10DN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8SH

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 25A/30A PPAK

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	+20V, -16V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 1212-8SH
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Base Product Number	SISHA10
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max)	3.6W (Ta), 39W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8SH
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2425 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25A (Ta), 30A (Tc)

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