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SISH892BDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SISH892BDN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® SO-8DC

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

Menge:

Auf Lager : 2561 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.8075

$0.8075
10

$0.7011

$7.011
100

$0.48535

$48.535
500

$0.40551

$202.755
1000

$0.34511

$345.11

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max)	3.4W (Ta), 29W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8DC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	26.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1110 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6.8A (Ta), 20A (Tc)

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