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SISH615ADN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SISH615ADN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8SH

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 22.1A/35A PPAK

Menge:

Auf Lager : 74347 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.5415

$0.5415
10

$0.4674

$4.674
100

$0.32385

$32.385
500

$0.27057

$135.285
1000

$0.23028

$230.28

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen III
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±12V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 1212-8SH
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Base Product Number	SISH615
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	3.7W (Ta), 52W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8SH
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	183 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5590 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	22.1A (Ta), 35A (Tc)

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