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SISH434DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SISH434DN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8SH

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 17.6A/35A PPAK

Menge:

Auf Lager : 3618 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.0735

$1.0735
10

$0.8759

$8.759
100

$0.68105

$68.105
500

$0.57727

$288.635
1000

$0.47025

$470.25

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 1212-8SH
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Base Product Number	SISH434
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max)	3.8W (Ta), 52W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8SH
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1530 pF @ 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	17.6A (Ta), 35A (Tc)

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