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SISH410DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SISH410DN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8SH

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK

Menge:

Auf Lager : 4210 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.988

$0.988
10

$0.8056

$8.056
100

$0.62662

$62.662
500

$0.53116

$265.58
1000

$0.43268

$432.68

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 1212-8SH
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Base Product Number	SISH410
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	3.8W (Ta), 52W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8SH
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1600 pF @ 10 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	22A (Ta), 35A (Tc)

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