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SISH402DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SISH402DN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8SH

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 19A/35A PPAK

Menge:

Auf Lager : 30 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.8645

$0.8645
10

$0.7068

$7.068
100

$0.54948

$54.948
500

$0.46574

$232.87
1000

$0.3794

$379.4

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 1212-8SH
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Base Product Number	SISH402
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max)	3.8W (Ta), 52W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8SH
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1700 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	19A (Ta), 35A (Tc)

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