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SISH106DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SISH106DN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8SH

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK

Menge:

Auf Lager : 6833 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.5675

$1.5675
10

$1.28535

$12.8535
100

$0.9994

$99.94
500

$0.84711

$423.555
1000

$0.69007

$690.07

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±12V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 1212-8SH
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Base Product Number	SISH106
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max)	1.5W (Ta)
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8SH
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	27 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12.5A (Ta)

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