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SISH103DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SISH103DN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8SH

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

Menge:

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 1212-8SH
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Base Product Number	SISH103
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max)	3.67W (Ta), 41.6W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8SH
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2540 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	16A (Ta), 54A (Tc)

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