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SISF06DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SISF06DN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8SCD

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S

Menge:

Auf Lager : 5452 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.083

$1.083
10

$0.88255

$8.8255
100

$0.68666

$68.666
500

$0.58206

$291.03
1000

$0.47414

$474.14

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Power - Max	5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Configuration	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 1212-8SCD
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Base Product Number	SISF06
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8SCD
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2050pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	28A (Ta), 101A (Tc)

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