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SISF02DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SISF02DN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8SCD

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET DUAL N-CH 25V 1212-8

Menge:

Auf Lager : 26 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.425

$1.425
10

$1.1647

$11.647
100

$0.90573

$90.573
500

$0.76771

$383.855
1000

$0.62537

$625.37

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Power - Max	5.2W (Ta), 69.4W (Tc)
Configuration	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 1212-8SCD
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA
Base Product Number	SISF02
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 7A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8SCD
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2650pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30.5A (Ta), 60A (Tc)

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