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SISA35DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SISA35DN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK

Menge:

Auf Lager : 16479 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.475

$0.475
10

$0.36955

$3.6955
100

$0.22173

$22.173
500

$0.20533

$102.665
1000

$0.13963

$139.63

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen III
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	PowerPAK® 1212-8
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Base Product Number	SISA35
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max)	3.2W (Ta), 24W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta), 16A (Tc)

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