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SISA18BDN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

SISA18BDN-T1-GE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® 1212-8PT

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE

Menge:

Auf Lager : 5888 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.6365

$0.6365
10

$0.55195

$5.5195
100

$0.3819

$38.19
500

$0.3191

$159.55
1000

$0.27157

$271.57

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	TrenchFET® Gen IV
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	+20V, -16V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerWDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Base Product Number	SISA18
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.83mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max)	3.2W (Ta), 36.8W (Tc)
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8PT
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	680 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Ta), 60A (Tc)

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